| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOIC |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 42 mΩ |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 1.3 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.1A |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
VISHAY（威世）
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Fairchild（飞兆/仙童）
P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI9435BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, 8-SOIC
VISHAY（威世）
场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -30V, 1.3W
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VISHAY SI9435BDY 晶体管, MOSFET, P沟道, 4.1 A, -30 V, 42 mohm, -10 V, -3 V
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