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器件3D模型
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SI9926BDY-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor(威世)
制造商:
Vishay Semiconductor(威世)
分类:
MOS管
封装:
SOIC
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
SI9926BDY-T1-GE3 数据手册
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SI9926BDY-T1-GE3 数据手册 (6 页)
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SI9926BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数
类型
描述
引脚数
8 Pin
封装
SOIC
漏源极电阻
0.02 Ω
极性
Dual N-Channel
功耗
1.14 W
阈值电压
600 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
6.20 A
上升时间
50 ns
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
150 ℃
SI9926BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
工作温度
-55℃ ~ 150℃
SI9926BDY-T1-GE3 符合标准
SI9926BDY-T1-GE3 数据手册
SI9926BDY-T1-GE3
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