SI9926CDY-T1-GE3 数据手册 - Vishay Intertechnology

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SI9926CDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
封装	SO-8

类型	描述
包装方式	Tape & Reel (TR)
宽度	3.9 mm

Vishay Intertechnology

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VISHAY（威世）

双N通道20 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

VISHAY（威世）

双N通道20 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

Vishay Siliconix

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Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI9926CDY-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 20 V, 18 mohm, 4.5 V, 1.5 V

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI9926CDY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 20 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 1.5 V

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