| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SO-8 |
| 通道数 | 2 Channel |
| 漏源极电阻 | 12 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10.5 A |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4.9 mm |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 高度 | 1.75 mm |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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VISHAY（威世）
双N通道20 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
VISHAY（威世）
双N通道20 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI9926CDY-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 20 V, 18 mohm, 4.5 V, 1.5 V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI9926CDY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 20 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 1.5 V
Fairchild（飞兆/仙童）
双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
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