| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 额定功率(Max) | 900 mW |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 5A 900mW 表面贴装型 8-SO
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VISHAY SI9936BDY-T1-GE3 场效应管阵列, MOSFET, 双N沟道
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