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SI9945AEY-T1-E3
来自 AiPCBA

SI9945AEY-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SO-8
PDF文件:SI9945AEY-T1-E3 数据手册 (5 页)
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SI9945AEY-T1-E3 数据手册 (5 页)
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SI9945AEY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数8 Pin
封装SO-8
额定功率2.4 W
漏源极电阻0.08 Ω
极性N-Channel, Dual N-Channel
功耗2.4 W
漏源极电压(Vds)60.0 V
漏源击穿电压60 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)3.70 A
热阻93℃/W (RθJA)
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SI9945AEY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃
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SI9945AEY-T1-E3 数据手册

SI9945AEY-T1-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
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