| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 46 mΩ |
| 极性 | N-Channel, Dual N-Channel |
| 功耗 | 3.1 W |
| 阈值电压 | 2.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.3A |
| 输入电容值(Ciss) | 665pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.1 W |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3.1 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
| 最小包装数量 | 2500 |
双 N 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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双 N 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI9945BDY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.3 A, 60 V, 46 mohm, 10 V, 2.5 V
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