| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SO-8 |
| 通道数 | 2 Channel |
| 漏源极电阻 | 76 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.30 A |
| 上升时间 | 7.5 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4.9 mm |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 高度 | 1.75 mm |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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VISHAY（威世）
双 N 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI9945BDY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.3 A, 60 V, 46 mohm, 10 V, 2.5 V
Fairchild（飞兆/仙童）
双N沟道增强型MOSFET Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
VISHAY（威世）
双N通道60 -V （D -S ） ， 175 2 C MOSFET Dual N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
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