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SIA517DJ-T1-GE3
来自 AiPCBA

SIA517DJ-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SC-70
描述:MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
PDF文件:SIA517DJ-T1-GE3 数据手册 (14 页)封装尺寸在12 页
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焊盘图
引脚图
产品图
SIA517DJ-T1-GE3 数据手册 (14 页)
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SIA517DJ-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装SC-70
漏源极电阻0.024 Ω
极性N-Channel, P-Channel
功耗6.5 W
阈值电压400 mV
漏源极电压(Vds)12 V
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)6.5 W
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SIA517DJ-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
长度2.15 mm
宽度2.15 mm
高度0.8 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SIA517DJ-T1-GE3 数据手册

SIA517DJ-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
14 页 / 0.31 MByte
SIA517DJ-T1-GE3 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
14 页 / 0.31 MByte
SIA517DJ-T1-GE3 产品修订记录
Vishay Semiconductor（威世）
3 页 / 0.19 MByte

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