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SIA517DJ-T1-GE3
来自 AiPCBA

SIA517DJ-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:SC-70-6
描述:N和P通道12 -V （D -S ）的MOSFET N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
PDF文件:SIA517DJ-T1-GE3 数据手册 (14 页)封装尺寸在12 页
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焊盘图
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SIA517DJ-T1-GE3 数据手册 (14 页)
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SIA517DJ-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装SC-70-6
针脚数6 Position
漏源极电阻0.024 Ω
极性N-Channel, P-Channel
功耗1.9 W
阈值电压1 V
漏源极电压(Vds)12 V
连续漏极电流(Ids)4.5A
输入电容值(Ciss)500pF @6V(Vds)
额定功率(Max)6.5 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)6.5 W
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SIA517DJ-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2.15 mm
宽度2.15 mm
高度0.8 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量3000
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SIA517DJ-T1-GE3 数据手册

SIA517DJ-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
14 页 / 0.31 MByte
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N和P通道12 -V （D -S ）的MOSFET N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
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