| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 反向恢复时间 | 279 ns |
| 额定功率(Max) | 139 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10 mm |
| 宽度 | 9.25 mm |
| 高度 | 4.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
IGBT NPT 600 V 31 A 139 W 表面贴装型 PG-TO263-3-2
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
在NPT技术的快速IGBT具有柔软，快速恢复反并联二极管EMCON Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode
Infineon（英飞凌）
高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 ％，相比上一代 High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
Infineon（英飞凌）
高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 ％，相比上一代 High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
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