| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 34 Pin |
| 电源电压 | 14.4V (min) |
| 输出接口数 | 2 Output |
| 输出电流 | 8.00 A |
| 隔离电压 | 2.50 MV |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
SEMIDRIVER™ 混合双 IGBT 驱动器，Semikron
●驱动器，用于工业应用内桥式电路中的 IGBT 模块。
●集电极发射极电压・・・SKHI 22 A (R)：1200V、SKHI 22 A / B (R)：1700V
●输出峰值电流 8A
●双驱动器，用于半桥式 IGBT 模块
●CMOS 兼容输入
●通过 VCE 监控电路提供短路保护并关闭
●驱动互锁顶部/底部
●变压器隔离
●电源欠压保护 (13V)
●错误闩锁/输出
●### MOSFET & IGBT 驱动器，Semikron
Semikron（赛米控）
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Semikron（赛米控）
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Semikron（赛米控）
SEMIKRON SKHI 22A H4 R 芯片, IGBT驱动器, 双路, 1.2KV, 1US
Semikron（赛米控）
SEMIKRON SKHI22AR 驱动模块, MOSFET/IGBT
Semikron（赛米控）
SEMIDRIVER™ 混合双 IGBT 驱动器，Semikron 驱动器，用于工业应用内桥式电路中的 IGBT 模块。 集电极发射极电压・・・SKHI 22 A (R)：1200V、SKHI 22 A / B (R)：1700V 输出峰值电流 8A 双驱动器，用于半桥式 IGBT 模块 CMOS 兼容输入 通过 VCE MOSFET & IGBT 驱动器，Semikron
Semikron（赛米控）
SEMIKRON SKHI 22B R 芯片, IGBT驱动器, 双路, 1.2KV, 1US
Semikron（赛米控）
SEMIDRIVER™ 混合双 IGBT 驱动器，Semikron 驱动器，用于工业应用内桥式电路中的 IGBT 模块。 集电极发射极电压・・・SKHI 22 A (R)：1200V、SKHI 22 A / B (R)：1700V 输出峰值电流 8A 双驱动器，用于半桥式 IGBT 模块 CMOS 兼容输入 通过 VCE MOSFET & IGBT 驱动器，Semikron
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