| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 34 Pin |
| 电源电压 | 14.4V (min) |
| 封装 | Rectangular |
| 输出接口数 | 2 Output |
| 输出电流 | 8.00 A |
| 针脚数 | 34 Position |
| 隔离电压 | 2500 kV |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 18 V |
| 电源电压(Max) | 15.6 V |
| 电源电压(Min) | 14.4 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Each |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ |
Semikron（赛米控）
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Semikron（赛米控）
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Semikron（赛米控）
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Semikron（赛米控）
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Semikron（赛米控）
SEMIKRON SKHI 22A H4 R 芯片, IGBT驱动器, 双路, 1.2KV, 1US
Semikron（赛米控）
SEMIKRON SKHI22AR 驱动模块, MOSFET/IGBT
Semikron（赛米控）
SEMIDRIVER™ 混合双 IGBT 驱动器，Semikron 驱动器，用于工业应用内桥式电路中的 IGBT 模块。 集电极发射极电压・・・SKHI 22 A (R)：1200V、SKHI 22 A / B (R)：1700V 输出峰值电流 8A 双驱动器，用于半桥式 IGBT 模块 CMOS 兼容输入 通过 VCE MOSFET & IGBT 驱动器，Semikron
Semikron（赛米控）
SEMIKRON SKHI 22B R 芯片, IGBT驱动器, 双路, 1.2KV, 1US
Semikron（赛米控）
SEMIDRIVER™ 混合双 IGBT 驱动器，Semikron 驱动器，用于工业应用内桥式电路中的 IGBT 模块。 集电极发射极电压・・・SKHI 22 A (R)：1200V、SKHI 22 A / B (R)：1700V 输出峰值电流 8A 双驱动器，用于半桥式 IGBT 模块 CMOS 兼容输入 通过 VCE MOSFET & IGBT 驱动器，Semikron
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