| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 7 Pin |
| 封装 | Module |
| 针脚数 | 7 Position |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
SKM300GB12V 是一款SEMITRANS® 3 IGBT模块, 适用于AC逆变器驱动和电子焊机。带有绝缘绝缘铜基, 采用DBC技术 (直接铜结合), 具有增强功率周期性能力。
● 半桥开关
● V-IGBT = 第六代Trench V-IGBT (Fuji)
● CAL4 =软切换第4代CAL-二极管
● 集成栅极电阻
● 高di/dt时, 超级开关损耗
● UL认证, file number E63532
Semikron（赛米控）
5 页 / 0.32 MByte
Semikron（赛米控）
5 页 / 0.23 MByte
Semikron（赛米控）
SEMIKRON SKM300GB12T4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 422 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module
Semikron（赛米控）
SEMIKRON SKM300GB12V 晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 420 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module
Semikron（赛米控）
SEMIKRON SKM300GB12E4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 422 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module
Semikron（赛米控）
IGBT 模块SEMIKRON 提供 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）模块，采用具有不同拓扑、电流和电压额定值的 SEMITRANS 和 SEMITOP 封装。 ### IGBT 模块，Semikron绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Semikron（赛米控）
IGBT 模块SEMIKRON 提供 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）模块，采用具有不同拓扑、电流和电压额定值的 SEMITRANS 和 SEMITOP 封装。 ### IGBT 模块，Semikron绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
