| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 额定电压(DC) | 36.0 V |
| 工作电压 | 36.0 V |
| 封装 | DO-214AA |
| 额定功率 | 1.5 kW |
| 击穿电压 | 36 V |
| 电路数 | 1 Circuit |
| 针脚数 | 2 Position |
| 功耗 | 600 W |
| 钳位电压 | 64.3 V |
| 最大反向电压(Vrrm) | 30.8V |
| 测试电流 | 1 mA |
| 最大反向击穿电压 | 37.8 V |
| 脉冲峰值功率 | 600 W |
| 最小反向击穿电压 | 34.2 V |
| 击穿电压 | 34.2 V |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温 | -55℃ ~ 150℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4.6 mm |
| 宽度 | 3.95 mm |
| 高度 | 2.45 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 30.8V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 36V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 600W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 12A 额定耗散功率PdPower dissipation| 5W Description & Applications| Features • PEAK PULSE POWER : 600 W (10/1000µs) • BREAKDOWN VOLTAGE RANGE :From 6.8V to 220 V • UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES • LOW CLAMPING FACTOR • FAST RESPONSE TIME • UL RECOGNIZED 描述与应用| 特点 •峰值脉冲功率：600 W（10/1000μS） •击穿电压范围：6.8V至220 V •单向和双向类型 •低钳位因子 •快速的响应时间 •UL认证
ST Microelectronics（意法半导体）
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STMICROELECTRONICS SM6T36AY TVS二极管, AEC-Q330, Transil SM6T系列, 单向, 30.8 V, 64.3 V, DO-214AA, 2 引脚
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TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W，Vishay Semiconductor薄型 DO-214AA (SMBJ) 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻，带增量浪涌### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor
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TRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装单向 600W，SM6T 系列，Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor
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TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W，Vishay Semiconductor薄型 DO-214AA (SMBJ) 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻，带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor
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ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 36V 5% Bi
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