| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 封装 | DO-214AA |
| 击穿电压 | 6.45 V |
| 功耗 | 600 W |
| 钳位电压 | 13.4 V |
| 最大反向电压(Vrrm) | 5.8V |
| 测试电流 | 10 mA |
| 最大反向击穿电压 | 6.45V-7.14V |
| 脉冲峰值功率 | 600 W |
| 最小反向击穿电压 | 6.45 V |
| 击穿电压 | 6.45 V |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 工作结温 | -65℃ ~ 150℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4.57 mm |
| 宽度 | 3.94 mm |
| 高度 | 2.24 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 750 |
TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W，Vishay Semiconductor
●薄型 DO-214AA (SMBJ) 封装
●极佳的夹持能力
●非常快的响应时间
●低电阻，带增量浪涌
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS SM6T6V8A TVS二极管, TVS, Transil SM6T系列, 单向, 5.8 V, 13.4 V, DO-214AA, 2 引脚
ST Microelectronics（意法半导体）
Transil™ TVS SMT 双向 600W，SM6T 系列，STMicroelectronics ### 瞬态电压抑制器，STMicroelectronics
VISHAY（威世）
TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W，Vishay Semiconductor薄型 DO-214AA (SMBJ) 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻，带增量浪涌### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS SM6T6V8AY TVS二极管, AEC-Q342, Transil SM6T系列, 单向, 5.8 V, 13.4 V, DO-214AA, 2 引脚
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS SM6T6V8CAY TVS二极管, AEC-Q343, Transil SM6T系列, 双向, 5.8 V, 13.4 V, DO-214AA, 2 引脚
VISHAY（威世）
TRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装单向 600W，SM6T 系列，Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor（威世）
TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W，Vishay Semiconductor薄型 DO-214AA (SMBJ) 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻，带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor（威世）
TRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装单向 600W，SM6T 系列，Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor
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