类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 2 Pin |
额定电压(DC) | 40.0 V |
工作电压 | 40 V |
封装 | DO-214AA-2 |
额定功率 | 600 W |
击穿电压 | 44.4 V |
电路数 | 1 Circuit |
针脚数 | 2 Position |
功耗 | 600 W |
钳位电压 | 84 V |
最大反向电压(Vrrm) | 40V |
测试电流 | 1 mA |
最大反向击穿电压 | 46.7 V |
脉冲峰值功率 | 600 W |
最小反向击穿电压 | 44.4 V |
击穿电压 | 44.4 V |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
工作结温 | -55℃ ~ 150℃ |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 4.6 mm |
宽度 | 3.95 mm |
高度 | 2.45 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
STMicroelectronics公司的Transil SMBJ系列是瞬态电压抑制二极管. 这些二极管用于保护敏感设备免受静电放电和电力过压的影响. Transil SMBJ系列通常用于低于600W (10/1000µs)浪涌. 平面技术使这些器件适用于需要低泄漏电流与高结温的高端设备与SMPS. 这些设备符合IPC 7531标准, SMB占地尺寸.
● 高可靠性和稳定性
● 10/1000µs时, 峰值脉冲功率为600W, 8/20µs时, 峰值脉冲功率为4KW
● 隔离电压范围5V至188V
● 可选单向与双向类型
● 工作温度范围-55°C至150°C
● 高功率能力515W
● 符合IEC 61000-4-2 level 4, IEC 61000-4-5, UL 94, EIA STD RS-481与IEC 60286-3标准
● 符合MIL STD 883G, MIL-STD-750标准
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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Littelfuse(力特)
硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors
Vishay Semiconductor(威世)
表面贴装的TransZorb ?瞬态电压抑制器 Surface Mount TRANSZORB® Transient Voltage Suppressors
Micro Commercial Components(美微科)
Microsemi(美高森美)
UNI- AMD双向表面贴装 UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT
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