| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 330 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.2A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -40V
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●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −40V
●集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −200mA/-0.2A
●截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 250MHz
●直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300
●管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -400mV/-0.4V
●耗散功率PcPoWer Dissipation| 330mW/0.33W
●Description & Applications| PNP Silicon Switching Transistor • High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary type: SMBT3904
●描述与应用| PNP硅开关晶体管 •高直流电流增益：0.1 mA至100 mA的 •低集电极 - 发射极饱和电压 •互补类型：SMBT3904
Infineon（英飞凌）
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