SMMBT5551LT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:	ON Semiconductor（安森美）
分类:	双极性晶体管
封装:	SOT-23-3
描述:	NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管通用晶体管双 NPN 和 PNP 晶体管功率晶体管高电压晶体管射频双极晶体管低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
PDF文件:	SMMBT5551LT1G 数据手册 (6 页)封装尺寸在6 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

SMMBT5551LT1G 数据手册 (6 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SMMBT5551LT1G 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	SOT-23-3
针脚数	3 Position
极性	NPN
功耗	225 mW
击穿电压(集电极-发射极)	160 V
集电极最大允许电流	0.6A
最小电流放大倍数	80 @10mA, 5V
最大电流放大倍数	250
额定功率(Max)	225 mW
直流电流增益(hFE)	30
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	300 mW

查看数据手册 >

SMMBT5551LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
材质	Silicon
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

SMMBT5551LT1G 符合标准

SMMBT5551LT1G 海关信息

SMMBT5551LT1G 概述

SMMBT5551LT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.17 MByte

SMMBT5551LT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.16 MByte

SMMBT5551LT1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.17 MByte

SMMBT5551LT1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.2 MByte

SMMBT5551LT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

SMMBT5551LT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管通用晶体管双 NPN 和 PNP 晶体管功率晶体管高电压晶体管射频双极晶体管低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

器件 Datasheet 文档搜索

数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号