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SN7002NH6327XTSA1
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SN7002NH6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
描述:Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET SN7002NH6327XTSA1, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
PDF文件:SN7002NH6327XTSA1 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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SN7002NH6327XTSA1 数据手册 (9 页)
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SN7002NH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
极性N-CH
功耗360mW (Ta)
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)0.2A
上升时间3.2 ns
输入电容值(Ciss)45pF @25V(Vds)
额定功率(Max)360 mW
下降时间3.6 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)360mW (Ta)
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SN7002NH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Discontinued at Digi-Key
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2.9 mm
宽度1.3 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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SN7002NH6327XTSA1 数据手册

SN7002NH6327XTSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.32 MByte
SN7002NH6327XTSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.31 MByte
SN7002NH6327XTSA1 产品手册
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.13 MByte

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