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SN74LVC1G08DCKRE4 数据手册 (38 页)
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SN74LVC1G08DCKRE4 技术参数、封装参数

SN74LVC1G08DCKRE4 外形尺寸、物理参数、其它

SN74LVC1G08DCKRE4 数据手册

TI(德州仪器)
38 页 / 1.75 MByte
TI(德州仪器)
21 页 / 5.57 MByte

SN74LVC1G08 数据手册

TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  SN74LVC1G08DBVR.  芯片, 与门, SOT-23-5, 整卷
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  SN74LVC1G08DCKR.  芯片, 与门, SC-70-5, 整卷
TI(德州仪器)
74LVC1G 系列,Texas Instruments低电压 CMOS 逻辑 单门封装 工作电压:1.65 - 5.5 兼容性:输入 LVTTL/TTL、输出 LVCMOS 按 JESD 78 II 级标准,闩锁效应性能超过 100 mA。 ESD 保护超乎 JESD 22 标准 ### 74LVC 系列
TI(德州仪器)
74LVC1G 系列,Texas Instruments低电压 CMOS 逻辑 单门封装 工作电压:1.65 - 5.5 兼容性:输入 LVTTL/TTL、输出 LVCMOS 按 JESD 78 II 级标准,闩锁效应性能超过 100 mA。 ESD 保护超乎 JESD 22 标准 ### 74LVC 系列
TI(德州仪器)
与门, 74LVC1G08, 2输入, 32mA, 1.65V至5.5V, SOT-23-5
TI(德州仪器)
单路2输入正与门 SINGLE 2-INPUT POSITIVE-AND GATE
TI(德州仪器)
2输入与门
TI(德州仪器)
74LVC1G 系列,Texas Instruments低电压 CMOS 逻辑 单门封装 工作电压:1.65 - 5.5 兼容性:输入 LVTTL/TTL、输出 LVCMOS 按 JESD 78 II 级标准,闩锁效应性能超过 100 mA。 ESD 保护超乎 JESD 22 标准 ### 74LVC 系列
TI(德州仪器)
单3输入正与或门 SINGLE 3-INPUT POSITIVE AND-OR GATE
TI(德州仪器)
74LVC1G 系列,Texas Instruments低电压 CMOS 逻辑 单门封装 工作电压:1.65 - 5.5 兼容性:输入 LVTTL/TTL、输出 LVCMOS 按 JESD 78 II 级标准,闩锁效应性能超过 100 mA。 ESD 保护超乎 JESD 22 标准 ### 74LVC 系列
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