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SP8K31TB1
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SP8K31TB1 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
PDF文件:SP8K31TB1 数据手册 (5 页)
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SP8K31TB1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装SOIC-8
功耗2 W
漏源极电压(Vds)60 V
输入电容值(Ciss)250pF @10V(Vds)
额定功率(Max)2 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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SP8K31TB1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度150℃ (TJ)
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SP8K31TB1 数据手册

SP8K31TB1 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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