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SP8K3FU6TB
来自 AiPCBA

SP8K3FU6TB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOP-8
PDF文件:SP8K3FU6TB 数据手册 (4 页)封装尺寸在1 页
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焊盘图
引脚图
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SP8K3FU6TB 数据手册 (4 页)
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SP8K3FU6TB 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOP-8
通道数2 Channel
漏源极电阻24 mΩ
极性N-Channel, Dual N-Channel
功耗2 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30 V
连续漏极电流(Ids)7.00 A
上升时间10 ns
输入电容值(Ciss)600pF @10V(Vds)
额定功率(Max)2 W
下降时间11 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2000 mW
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SP8K3FU6TB 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度150℃ (TJ)
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SP8K3FU6TB 数据手册

SP8K3FU6TB 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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