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SP8M4FU6TB
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SP8M4FU6TB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOP-8
描述:ROHM  SP8M4FU6TB  双路场效应管, MOSFET, 双路低栅极驱动器, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.012 ohm, 10 V, 2.5 V
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SP8M4FU6TB 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOP-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.012 Ω
极性N-Channel, P-Channel
功耗2 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)7.00 A
输入电容值(Ciss)1190pF @10V(Vds)
额定功率(Max)2 W
工作温度(Max)150 ℃
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SP8M4FU6TB 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Cut Tape (CT)
工作温度150℃ (TJ)
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SP8M4FU6TB 数据手册

SP8M4FU6TB 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
6 页 / 0.1 MByte
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ROHM  SP8M4FU6TB  双路场效应管, MOSFET, 双路低栅极驱动器, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.012 ohm, 10 V, 2.5 V
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