类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 560 V |
额定电流 | 11.6 A |
封装 | TO-220-3 |
漏源极电阻 | 0.34 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 33 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 560 V |
连续漏极电流(Ids) | 11.6 A |
上升时间 | 8 ns |
输入电容值(Ciss) | 1200pF @25V(Vds) |
下降时间 | 8 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 33W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.65 mm |
宽度 | 4.85 mm |
高度 | 16.15 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
Infineon(英飞凌)
14 页 / 0.62 MByte
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Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA12N50C3XKSA1, 11.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220FP封装
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