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SPA20N65C3
来自 AiPCBA

SPA20N65C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:新的革命高电压技术，超低栅极电荷至尊的dv / dt评分 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated
PDF文件:SPA20N65C3 数据手册 (15 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
SPA20N65C3 数据手册 (15 页)
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SPA20N65C3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)650 V
额定电流20.7 A
封装TO-220-3
通道数1 Channel
极性N-Channel
功耗34.5 W
输入电容2.40 nF
栅电荷114 nC
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)20.7 A
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)2400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)34.5 W
下降时间4.5 ns
耗散功率(Max)34.5W (Tc)
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SPA20N65C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.65 mm
宽度4.85 mm
高度16.15 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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SPA20N65C3 数据手册

SPA20N65C3 数据手册
Infineon（英飞凌）
15 页 / 0.59 MByte
SPA20N65C3 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
SPA20N65C3 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
72 页 / 2.03 MByte
SPA20N65C3 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

SPA20N65 数据手册

SPA20N65C3 数据手册
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晶体管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V
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N沟道 650V 20.7A
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