| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 650 V |
| 额定电流 | 11.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.34 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 125 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 输入电容 | 1200 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 11.0 A |
| 上升时间 | 5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1200pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 125 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.31 mm |
| 宽度 | 9.45 mm |
| 高度 | 4.57 mm |
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
Infineon（英飞凌）
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INFINEON SPB11N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
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SPB11N60C3 系列 650 V 0.38 Ohm N沟道 Cool MOS™ 功率 晶体管 - PG-TO-263
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