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SPB12N50C3ATMA1
来自 AiPCBA

SPB12N50C3ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263
描述:INFINEON  SPB12N50C3ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 11.6 A, 560 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:SPB12N50C3ATMA1 数据手册 (12 页)
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SPB12N50C3ATMA1 数据手册 (12 页)
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SPB12N50C3ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装TO-263
针脚数3 Position
漏源极电阻0.34 Ω
极性N-CH
功耗125 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)560 V
连续漏极电流(Ids)11.6A
上升时间8 ns
输入电容值(Ciss)1200pF @25V(Vds)
下降时间8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)125000 mW
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SPB12N50C3ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
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SPB12N50C3ATMA1 数据手册

SPB12N50C3ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 1.65 MByte
SPB12N50C3ATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.68 MByte

SPB12N50C3 数据手册

SPB12N50C3 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  SPB12N50C3  晶体管, MOSFET, N沟道, 11.6 A, 560 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
SPB12N50C3ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  SPB12N50C3ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 11.6 A, 560 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
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