类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 800 V |
额定电流 | 17.0 A |
封装 | TO-263-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.25 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 227 W |
阈值电压 | 3 V |
输入电容 | 2300 pF |
漏源极电压(Vds) | 800 V |
漏源击穿电压 | 800 V |
连续漏极电流(Ids) | 17.0 A |
上升时间 | 15 ns |
输入电容值(Ciss) | 2300pF @100V(Vds) |
下降时间 | 12 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 227000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 10 mm |
宽度 | 9.25 mm |
高度 | 4.4 mm |
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
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INFINEON SPB17N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
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INFINEON SPB17N80C3ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
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CoolMOS®功率晶体管特点新的革命高电压技术 CoolMOS® Power Transistor Features new revolutionary high voltage technology
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