| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -18.6 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 81.1W (Ta) |
| 输入电容 | 860 pF |
| 栅电荷 | 33.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 18.6 A |
| 输入电容值(Ciss) | 860pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 81.1 W |
| 耗散功率(Max) | 81.1W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 宽度 | 9.25 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON SPB18P06P G 晶体管, MOSFET, P沟道, -18.7 A, -60 V, 0.101 ohm, -10 V, -3 V
Infineon（英飞凌）
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB18P06PGATMA1, 18.6 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
Infineon（英飞凌）
SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
Siemens Semiconductor（西门子）
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