类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 650 V |
额定电流 | 20.7 A |
封装 | TO-263-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.19 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 208 W |
阈值电压 | 3 V |
输入电容 | 4.50 nF |
漏源极电压(Vds) | 650 V |
连续漏极电流(Ids) | 20.7 A |
上升时间 | 5 ns |
输入电容值(Ciss) | 2400pF @25V(Vds) |
下降时间 | 4.5 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 208 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 10.31 mm |
宽度 | 11.05 mm |
高度 | 4.57 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.76 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
40 页 / 0.46 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
INFINEON SPB20N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON SPB20N60C3ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
酷MOS功率晶体管提供新的革命性的高电压技术 Cool MOS Power Transistor Feature new revolutionary high voltage technology
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件