| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 20.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.16 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 208 W |
| 阈值电压 | 4.5 V |
| 输入电容 | 3.00 nF |
| 栅电荷 | 103 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20.0 A |
| 上升时间 | 25 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3000pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 208 W |
| 下降时间 | 30 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10 mm |
| 宽度 | 9.25 mm |
| 高度 | 4.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.64 MByte
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.34 MByte
Infineon（英飞凌）
27 页 / 1.55 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON SPB20N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON SPB20N60S5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 4.5 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON SPB20N60C3ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
Siemens Semiconductor（西门子）
Infineon（英飞凌）
酷MOS功率晶体管提供新的革命性的高电压技术 Cool MOS Power Transistor Feature new revolutionary high voltage technology
Infineon（英飞凌）
酷MOS功率晶体管 Cool MOS Power Transistor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
