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SPD01N60C3
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SPD01N60C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
PDF文件:SPD01N60C3 数据手册 (11 页)
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焊盘图
引脚图
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SPD01N60C3 数据手册 (11 页)
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SPD01N60C3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)650 V
额定电流800 mA
封装TO-252-3
通道数1 Channel
漏源极电阻6 Ω
极性N-CH
功耗11 W
输入电容100 pF
栅电荷5.00 nC
漏源极电压(Vds)650 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)800 mA
上升时间25 ns
输入电容值(Ciss)100pF @25V(Vds)
额定功率(Max)11 W
下降时间30 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)11000 mW
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SPD01N60C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度6.22 mm
高度2.3 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SPD01N60C3 数据手册

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Infineon（英飞凌）
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