| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 1.80 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 2.7 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 25 W |
| 阈值电压 | 4.5 V |
| 输入电容 | 240 pF |
| 栅电荷 | 9.50 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.80 A |
| 输入电容值(Ciss) | 240pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 25 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 25000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON SPD02N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V
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INFINEON SPD02N60S5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 600 V, 2.7 ohm, 10 V, 4.5 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON SPD02N60C3BTMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V
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