| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 2.4 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 42 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 漏源击穿电压 | 800 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2A |
| 上升时间 | 15 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 290pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 42 W |
| 下降时间 | 18 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 42W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 800 V 2A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
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INFINEON SPD02N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 800 V, 2.4 ohm, 10 V, 3 V
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INFINEON SPD02N80C3ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 800 V, 2.4 ohm, 10 V, 3 V
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD02N80C3BTMA1, 2 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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CoolMOSTM功率晶体管特点新的革命高电压技术 CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology
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