SPD04N50C3ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:	Infineon（英飞凌）
分类:	MOS管
封装:	TO-252-3
描述:	Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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SPD04N50C3ATMA1 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	TO-252-3
漏源极电阻	0.85 Ω
极性	N-Channel
功耗	50 W
阈值电压	3 V
漏源极电压(Vds)	500 V
连续漏极电流(Ids)	4.5A
上升时间	5 ns
输入电容值(Ciss)	470pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	50 W
下降时间	10 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	50W (Tc)

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SPD04N50C3ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Not Recommended for New Designs
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	6.73 mm
宽度	6.22 mm
高度	2.41 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SPD04N50C3ATMA1 符合标准

SPD04N50C3ATMA1 概述

SPD04N50C3ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.71 MByte

SPD04N50C3ATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

SPD04N50C3ATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

SPD04N50C3ATMA1 开发手册

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37 页 / 2.01 MByte

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Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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