| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.55 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 38 W |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 上升时间 | 5.7 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 280pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 5 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 38000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
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INFINEON SPD04P10PLGBTMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.2 A, -100 V, 0.55 ohm, -10 V, -1.5 V
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INFINEON SPD04P10PL G 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.2 A, -100 V, 0.55 ohm, -10 V, -1.5 V
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Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon（英飞凌）
SIPMOS ？功率晶体管特点P沟道增强模式 SIPMOS® Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode
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