类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 650 V |
额定电流 | 6.20 A |
封装 | TO-252-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.68 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 74 W |
阈值电压 | 3 V |
输入电容 | 620 pF |
栅电荷 | 31.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 650 V |
漏源击穿电压 | 650 V |
连续漏极电流(Ids) | 6.20 A |
上升时间 | 12 ns |
输入电容值(Ciss) | 620pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 74 W |
下降时间 | 10 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 74 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.5 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.3 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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INFINEON SPD06N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V
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INFINEON SPD06N60C3ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V
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单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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CoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power Transistor
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