| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 650 V |
| 额定电流 | 6.20 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 74 W |
| 输入电容 | 620 pF |
| 栅电荷 | 31.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.20 A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 620pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 74 W |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 74W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 6.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3
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Infineon（英飞凌）
INFINEON SPD06N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON SPD06N60C3ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V
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单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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CoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power Transistor
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