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SPD08P06PGBTMA1
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SPD08P06PGBTMA1 数据手册 (9 页)
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SPD08P06PGBTMA1 技术参数、封装参数

SPD08P06PGBTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

SPD08P06PGBTMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.58 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
40 页 / 0.46 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

SPD08P06 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD08P06PGBTMA1, 8.83 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPD08P06P G  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.83 A, -60 V, 0.23 ohm, -6.2 V, -3 V
Infineon(英飞凌)
60V,-8.83A,P沟道功率MOSFET
Siemens Semiconductor(西门子)
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