类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
额定功率 | 42 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.2 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 42 W |
阈值电压 | 2 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | 60 V |
连续漏极电流(Ids) | 9.7A |
上升时间 | 168 ns |
输入电容值(Ciss) | 360pF @25V(Vds) |
下降时间 | 89 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 42000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.5 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.3 mm |
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET
●Infineon
● SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。
●· 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表)
●· 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准
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60V,-9.7A,250mΩ,P沟道功率MOSFET
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INFINEON SPD09P06PL G 晶体管, MOSFET, P沟道, -9.7 A, -60 V, 0.2 ohm, -10 V, -1.5 V
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SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
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