| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -18.6 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 130 mΩ |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 80 W |
| 阈值电压 | 20 V |
| 输入电容 | 860 pF |
| 栅电荷 | 33.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 18.6 A |
| 上升时间 | 5.8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 860pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 80 W |
| 下降时间 | 11 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温(Max) | 150 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 80000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 18.6A（Tc） 80W（Tc） PG-TO252-3
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON SPD18P06P G 晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON SPD18P06PGBTMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON SPD18P06P 晶体管, MOSFET, P沟道, 18.6 A, -60 V, 130 mohm, -10 V, 20 V
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