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SPD30P06P G
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SPD30P06P G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:INFINEON  SPD30P06P G  晶体管, MOSFET, P沟道, -30 A, -60 V, 0.069 ohm, -10 V, -3 V
PDF文件:SPD30P06P G 数据手册 (10 页)封装尺寸在9 页
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焊盘图
引脚图
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SPD30P06P G 数据手册 (10 页)
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SPD30P06P G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.069 Ω
极性P-Channel
功耗125 W
漏源极电压(Vds)60 V
上升时间11 ns
输入电容值(Ciss)1535pF @25V(Vds)
额定功率(Max)125 W
下降时间20 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)125W (Tc)
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SPD30P06P G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.73 mm
宽度6.22 mm
高度2.41 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃
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SPD30P06P G 数据手册

SPD30P06P G 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.48 MByte
SPD30P06P G 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
SPD30P06P G 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
SPD30P06P G 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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