| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 5 Pin |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -50.0 A |
| 封装 | TO-252-5 |
| 额定功率 | 150 W |
| 针脚数 | 5 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0057 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 150 W |
| 输入电容 | 6.88 nF |
| 栅电荷 | 126 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 50.0 A |
| 上升时间 | 21.7 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4590pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 104 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 150000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.41 mm |
Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
●Infineon
●OptiMOS
●™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
●增强型模式
●雪崩等级
●低切换和传导功率损耗
●无铅引线电镀；符合 RoHS 标准
●标准封装
●OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C
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9 页 / 0.37 MByte
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270 页 / 11.59 MByte
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30 页 / 0.64 MByte
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37 页 / 2.01 MByte
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1 页 / 0.13 MByte
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INFINEON SPD50P03LGBTMA1 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, TO-252
Infineon（英飞凌）
INFINEON SPD50P03L G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, TO-252
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