Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon（英飞凌） > SPI15N60C3 Datasheet 文档
SPI15N60C3
来自 AiPCBA

SPI15N60C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-262-3
描述:酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
PDF文件:SPI15N60C3 数据手册 (14 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
SPI15N60C3 数据手册 (14 页)
查看文档
或点击图片查看大图

SPI15N60C3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)650 V
额定电流15.0 A
封装TO-262-3
通道数1 Channel
漏源极电阻280 mΩ
极性N-CH
功耗156 W
输入电容1.66 nF
栅电荷63.0 nC
漏源极电压(Vds)650 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)15.0 A
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)1660pF @25V(Vds)
额定功率(Max)156 W
下降时间5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)156000 mW
查看数据手册 >

SPI15N60C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度10.2 mm
宽度4.5 mm
高度9.45 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
查看数据手册 >

SPI15N60C3 数据手册

SPI15N60C3 数据手册
Infineon（英飞凌）
14 页 / 0.66 MByte

SPI15N60 数据手册

SPI15N60C3 数据手册
Infineon（英飞凌）
酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
SPI15N60CFD 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  SPI15N60CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.4 A, 650 V, 0.28 ohm, 10 V, 4 V
SPI15N60CFDHKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
SPI15N60C3HKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
SPI15N60C3XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet