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SPI15N60CFD
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SPI15N60CFD 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-262-3
描述:INFINEON  SPI15N60CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.4 A, 650 V, 0.28 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:SPI15N60CFD 数据手册 (12 页)
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SPI15N60CFD 数据手册 (12 页)
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SPI15N60CFD 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-262-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.28 Ω
极性N-Channel
功耗156 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)13.4 A
上升时间24 ns
输入电容值(Ciss)1820pF @25V(Vds)
额定功率(Max)156 W
下降时间5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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SPI15N60CFD 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度10.2 mm
宽度4.5 mm
高度9.45 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SPI15N60CFD 数据手册

SPI15N60CFD 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.54 MByte
SPI15N60CFD 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.32 MByte
SPI15N60CFD 开发手册
Infineon（英飞凌）
6 页 / 1.89 MByte

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