类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
封装 | TO-220-3 |
极性 | P-CH |
功耗 | 42W (Tc) |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
连续漏极电流(Ids) | 8.8A |
输入电容值(Ciss) | 420pF @25V(Vds) |
耗散功率(Max) | 42W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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INFINEON SPP08P06PHXKSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -60 V, 0.23 ohm, -10 V, -3 V
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Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准
Infineon(英飞凌)
P沟道增强型雪崩额定的dv / dt评分 P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated
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