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SPP08P06PHXKSA1
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SPP08P06PHXKSA1 数据手册 (10 页)
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SPP08P06PHXKSA1 技术参数、封装参数

SPP08P06PHXKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

SPP08P06PHXKSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.46 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

SPP08P06 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPP08P06PHXKSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -60 V, 0.23 ohm, -10 V, -3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准
Infineon(英飞凌)
P沟道增强型雪崩额定的dv / dt评分 P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated
Infineon(英飞凌)
60V,-8.8A,P沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
8.8A,-60V,P沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
P沟道增强型雪崩额定的dv / dt评分 P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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