| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 10.3 A |
| 封装 | TO-220-3-1 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 50W (Tc) |
| 输入电容 | 444 pF |
| 栅电荷 | 22.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10.3 A |
| 输入电容值(Ciss) | 444pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 50W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
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