类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 650 V |
额定电流 | 11.0 A |
封装 | TO-220-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 380 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 125 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 650 V |
连续漏极电流(Ids) | 11.0 A |
上升时间 | 5 ns |
输入电容值(Ciss) | 1200pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 125 W |
下降时间 | 5 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
工作结温(Max) | 150 ℃ |
耗散功率(Max) | 125W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 8.64 mm |
宽度 | 10.26 mm |
高度 | 4.4 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon(英飞凌)
16 页 / 0.7 MByte
Infineon(英飞凌)
20 页 / 2.6 MByte
Infineon(英飞凌)
INFINEON SPP11N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 380 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
INFINEON SPP11N60C3HKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 380 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N60S5HKSA1, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
Infineon(英飞凌)
酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件